HEMT GaAs de bajo ruido para banda Ka

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Mitsubishi Electric Corporation presenta un nuevo HEMT (High Electron Mobility Transistor) de arseniuro de galio en encapsulado de plástico adecuado para amplificadores de bajo ruido en la banda de frecuencia Ka. Este dispositivo, denominado MGF4963BL, opera a frecuencias de hasta 20 GHz con un excelente rendimiento de bajo ruido.

El nuevo chip está integrado en un encapsulado de plástico rentable.

Debido a su ventajoso precio el MGF4963BL no solo es idóneo para amplificadores de bajo ruido en receptores DBS (Direct Broadcast Satellite) de 18-20 GHz y sistemas VSAT (Very Small Aparture Terminal), también puede ser utilizado para etapas segunda/tercera de amplificadores. Como resultado, el MGF4963BL podrá proporcionar reducciones de costes en receptores DBS y VSAT.

La ganancia a 20 GHz está especificada con 13,5 dB mientras que la figura de ruido es exactamente 0,70 dB (a 20 GHz), lo que supone una mejora de 0,05 dB de la figura de ruido y un incremento de 3,0 dB de la ganancia asociada comparado con el modelo de 12 GHz de la compañía. El encapsulado es el micro-X
El MGF4963BL opera con VDS de 2,0 V e ID de 10 mA.

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