这些模块将射频驱动集成电路和功率MOSFET集成在一个高性能封装中，能够在高达40 MHz的频率下提供1至3 kW的功率。本设计指南还为系统开发人员提供了与元件选择、匹配网络设计、输出功率优化、效率最大化、散热和封装相关的射频设计技术，以及构建完整射频发生器所需的电路拓扑的详细建议。.
“与传统的低压射频系统相比，我们的DRF产品系列具有显著优势，”Microsemi MOSRF产品市场经理Glenn Wright表示。“这些优势包括能够应对设计挑战，从而在广泛的工业、科学和医疗应用中缩小尺寸、提高功率密度、增强可靠性并降低系统总成本。”.
Microsemi 的 DRF 产品系列将多达两个射频驱动 IC、两个射频功率 MOSFET 以及相关的去耦电容集成到单个封装中。驱动 IC 和 MOSFET 之间的紧密集成显著降低了电路电感，并相比使用分立元件的其他解决方案显著提升了性能，从而支持多种电路配置和系统拓扑结构。这些模块专为连续、D 类和 E 类以及脉冲功率应用而设计，能够提供高达 3kW 的射频功率，并且仅需 5V 逻辑电平输入信号。此外，它们还采用了 Microsemi 独特的无凸缘封装技术，与其他现有解决方案相比，可降低成本并提升性能。.
Microsemi 的 DRF 设计指南以及其他开发工具和支持服务现已推出，包括 SPICE 模型、参考设计套件和应用笔记。.
