Qorvo QPD0011 用于 4G 和 5G 通信的 GaN-on-SiC HEMT 晶体管

细节: 作者：卡洛斯·马丁内斯; 2021年9月2日，星期四

晶体管-qorvo Qorvo® QPD0011 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 基于碳化硅上氮化镓 (GaN-on-SiC) 技术。QPD0011 适用于 30 至 60 W 的可变输入功率和 +48 V 的漏极电压，可提供高达 90 W 的功率。

该评估板适用于“大规模 MIMO”、LTE 和 WCDMA 等 5G 系统中的移动电话基站和射频应用，并可将其集成到现有设计中，从而实现快速原型开发。.

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卡洛斯·马丁内斯

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