基于 MACOM 的 Gen4 GaN 技术，新型 MAGB-101822-240B0P 和 MAGB-101822-120B0P 功率晶体管利用了 GaN 的明显性能优势，并采用坚固、低成本的塑料封装，从而实现了成本效益的提升，进一步凸显了 MACOM 的 GaN 功率晶体管作为基站应用中先前 LDMOS 的自然继承者的地位。.
采用新型TO-272塑料封装的MAGB-101822-240B0P和MAGB-101822-120B0P功率晶体管，在仅需基本调谐的负载牵引配置下，分别可提供320W和160W的最大输出功率，并覆盖1.8–2.2 GHz频率范围内的所有蜂窝频段和功率等级。这两款晶体管能够在超过400 MHz的带宽内工作，无需使用多个基于LDMOS的产品，从而进一步优化成本并提高设计效率。.
MAGB的塑料封装功率晶体管能量效率高达79%，相比LDMOS产品提升高达10%，且只需在整个400 MHz射频带宽内进行基本调谐，即可实现高达20 dB的线性增益。这些晶体管是陶瓷封装器件的理想替代方案，且不会影响射频性能或可靠性；与MAGB的陶瓷封装产品相比，其散热性能也提升了10%。.
这些功率晶体管能够实现简单的对称式多尔蒂放大器设计，同时保持优异的射频性能，而基于 LDMOS 晶体管的非对称多尔蒂拓扑结构性能较低且结构复杂。采用 MACOM 的 MAGB 系列晶体管，多尔蒂放大器的实现方案与基于 LDMOS 的解决方案一样，对 DPD 兼容性良好。.
“DPD（动态功率分配）对于提高4G和5G基站应用中功率放大器的效率至关重要，并且对网络运营商的运营成本和投资有着显著的影响，”赛灵思首席DSP架构师Chris Dick博士表示。“我们在2016年IMS展会上与MACOM联合展示的DPD技术，将充分展现MACOM的GaN Gen4 MAGB功率晶体管与赛灵思互补的DPD技术在我们28nm Zynq® SoC和16nm UltraScale+™ MPSoC中的结合应用。这一联合解决方案突显了成熟且可互操作的DPD解决方案所带来的上市时间优势。”.
“我们与赛灵思的合作证明了我们MAGb的线性度和易于校正的特性，尤其是在处理那些使用基于GaN的解决方案难以校正的信号时，例如多载波TDD-LTE和GSM信号，”MACOM高级副总裁兼运营商网络总经理Preet Virk评论道。“我们相信，随着采用塑料封装的新型MAGb功率晶体管的推出，我们将进一步扩大其相对于竞争对手LDMOS和其他GaN技术的性价比优势，并加速用于无线基站的GaN功率放大器的发展。”
MACOM 的 MAGb GaN Gen 4 功率晶体管系列使无线运营商能够部署最新的 LTE 版本，并以极具竞争力的价格显著降低系统运营成本，同时结合可扩展的供应链、MACOM 广泛的应用专业知识和设计支持团队。.
MACOM 的 GaN MAGb 功率晶体管系列中的一些产品目前正在作为样品交付给合格的客户。.
