利用 MACOM 的 Gen4 GaN 技术，全新的 MAGb 系列是业界首个商用基站优化 GaN 晶体管系列，实现了领先的效率、带宽和功率增益，同时具备与 LDMOS 类似的线性度和成本结构，并为在 escada 量产水平上实现更优的 LDMOS 成本铺平了道路。.
MAGb系列功率晶体管面向1.8 GHz至3.8 GHz频段内的所有蜂窝频段。该系列产品首批产品包括采用小型封装、峰值功率高达400 W的晶体管、双晶体管以及采用Doherty封装、在对称和非对称供电模式下峰值功率高达700 W的晶体管。与之前的LDMOS产品相比，该系列产品的功率效率提升高达10%，封装尺寸缩小超过15%。基于第四代线性化技术，MAGb相比其他GaN技术，更容易使用数字预失真(DPD)方案进行线性化和校正。.
MAGb系列功率晶体管的带宽比LDMOS更宽，从而减少了覆盖主要蜂窝频段所需的元件数量。该系列新产品在提供上述优势的同时，简化了基于LDMOS晶体管的Doherty电路实现，并保持了超过200MHz的视频带宽。MAGB-101822-120B0S是该系列的首款产品，覆盖1.7GHz至2.2GHz之间500MHz的射频带宽。它采用小型AC-400陶瓷封装，仅需基频调谐即可提供超过160W的峰值功率和74%的峰值效率，并在整个500MHz频段内实现超过19dB的线性增益。.
该系列第二款产品是 MAGB-101822-240B0S，其输出功率是 MAGB-101822-120B0S 的两倍，峰值功率超过 320 W，线性增益为 19 dB，在 500 MHz 射频带宽内仅进行基频调谐时，峰值效率超过 72%，并采用 AC-780 陶瓷封装。如果采用合适的谐波终端，这两款产品的峰值效率均可进一步提高，远超 80%。.
该系列新产品充分发挥了MACOM第四代氮化镓技术的效率、尺寸和带宽优势。凭借可扩展的供应链、MACOM一流的应用技术以及拥有数十年经验的设计支持团队，无线服务提供商能够以极具竞争力的价格部署最新的LTE版本并显著降低运营成本。.
“我们相信，第四代氮化镓（GaN）技术将使MACOM在基站功率放大器领域处于变革性发展的前沿，实现其他半导体技术无法企及的性价比突破，”MACOM高级副总裁兼运营商网络总监Preet Virk表示。“我们预计，凭借MACOM在无线应用方面的专业知识和商业化生产规模，以及MAGB产品平台，氮化镓功率放大器将走向主流，为下一代无线基站带来诸多优势。”
