作者： 卡洛斯·马丁内斯 Mouser Electronics, Inc. 提供 Qorvo 的氮化镓 (GaN) QPD 晶体管，适用于射频 (RF) 应用。这些高电子迁移率晶体管 (HEMT) 采用 GaN-on-SiC（碳化硅）技术制造，并集成单级功率放大器晶体管，可提供宽广的频率范围、输出功率和工作电压，从而实现高效率。.
氮化镓（GaN）技术支持的射频功率密度比砷化镓（GaA）射频放大器高五到六倍。GaN技术久经考验的性能和可靠性使其成为基础设施、国防和航空航天应用（例如雷达、电子战、通信、导航等）的理想选择。这种更高的性能使设计人员能够灵活地缩小电路板尺寸、降低系统成本，同时提升性能。.
贸泽电子的QPD系列GaN射频晶体管包括近期发布的QPD1003，这是首款内部匹配的50欧姆L波段功率放大器。新款QPD1003满足高功率相控阵雷达（例如工作频率在1.2至1.4 GHz范围内的有源电子扫描阵列（AESA）雷达）的性能要求。这些系统需要功率放大器以最高效率运行，从而在严苛的环境条件下也能保持低发热量。.
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