Cette nouvelle série comprend des modèles I2C encapsulés en plastique, montables en surface pour réduire les coûts d'assemblage. Ils sont également disponibles en bobines coniques et en plateaux.
Ces transistors GaAs FET à couplage interne offrent une puissance de sortie de 4 W, un rendement d'amplification de puissance (PAE) élevé et une optimisation pour chaque bande de fréquence.

 

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