Grazie a ciò, introduce nuovi miglioramenti in termini di dimensioni, peso e potenza della nota gamma Datamate dell'azienda e soddisfa la crescente esigenza degli ingegneri di aumentare la potenza in progetti con spazio limitato.
L'innovativo design brevettato di questi componenti offre un maggior numero di punti di contatto, migliorando così la resistenza agli urti (100G) e alle vibrazioni (40G per 6 ore – 2 ore per asse). I tamburi di crimpatura accettano cavi da 22AWG e sono conformi alle specifiche di cablaggio IPC-A-620. I contatti sono inoltre placcati in oro per garantire prestazioni affidabili anche negli ambienti applicativi più difficili (conformi ai requisiti militari statunitensi, ecc.). Questo design consente anche un numero significativamente maggiore di cicli di connessione (fino a 1.000), prolungando la durata dei connettori con cui vengono utilizzati. Il loro intervallo di temperatura di esercizio va da -55°C a +125°C.
Il contatto T-Contact offre un attrito di contatto superiore del 60% rispetto ai contatti Datamate esistenti, migliorando l'autopulizia e riducendo la possibilità di contaminazione superficiale. A complemento di questi contatti rivoluzionari, Harwin fornisce una varietà di alloggiamenti a doppia fila con diverse chiusure a vite, disponibili direttamente a magazzino in varie dimensioni, da 4 a 50 posizioni.
Le sue principali applicazioni includono la difesa, l'avionica (sistemi di controllo, radar, veicoli aerei senza pilota, ecc.), gli sport motoristici (sistemi di navigazione, sensori, apparecchiature di telemetria), l'automazione industriale (azionamenti/controlli, robotica, sistemi di controllo del movimento) e i satelliti.
Connettori di alimentazione Han® Q 4/0 e Han® Q 3/0 nell'industria dei semiconduttori
Nell'industria dei semiconduttori, i microchip vengono fabbricati a partire da quelli che sono noti come wafer, composti da un materiale cristallino ad elevata purezza come il silicio. I wafer vengono inizialmente lucidati e puliti prima di essere sottoposti a vari trattamenti superficiali, tra cui l'ossidazione e la deposizione chimica da fase vapore (CVD).
