Basati sulla tecnologia GaN Gen4 di MACOM, i nuovi transistor di potenza MAGB-101822-240B0P e MAGB-101822-120B0P sfruttano i chiari vantaggi prestazionali del GaN in un robusto e conveniente package plastico, consentendo miglioramenti in termini di rapporto costo-efficacia che distinguono ulteriormente i transistor di potenza GaN di MACOM come i naturali successori dei precedenti LDMOS per le applicazioni nelle stazioni base.
Il nuovo package plastico TO-272 dei transistor di potenza MAGB-101822-240B0P e MAGB-101822-120B0P offre rispettivamente 320 W e 160 W di potenza massima in configurazione load-pull con la sola regolazione di base, e copre tutte le bande cellulari e i livelli di potenza all'interno della gamma di frequenza 1,8-2,2 GHz. Questa capacità dei transistor di operare su una larghezza di banda di oltre 400 MHz elimina la necessità di più prodotti basati su LDMOS, ottimizzando ulteriormente i costi e l'efficienza progettuale.
I transistor di potenza incapsulati in plastica di MAGB offrono un'efficienza energetica fino al 79%, un miglioramento fino al 10% rispetto alle soluzioni LDMOS, con una regolazione di base sull'intera larghezza di banda RF di 400 MHz e un incremento lineare fino a 20 dB. Questi transistor rappresentano un'alternativa interessante ai dispositivi incapsulati in ceramica, senza compromettere le prestazioni RF o l'affidabilità; il comportamento termico è migliorato del 10% rispetto alle soluzioni incapsulate in ceramica di MAGB.
Questi transistor di potenza consentono la realizzazione di un semplice amplificatore Doherty simmetrico, mantenendo al contempo eccellenti prestazioni RF rispetto alle topologie Doherty asimmetriche, più complesse e con prestazioni inferiori, imposte dai transistor basati su LDMOS. Grazie ai transistor della serie MAGB di MACOM, le implementazioni di amplificatori Doherty presentano lo stesso livello di compatibilità con i DPD (Doherty Power Dependency) delle soluzioni basate su LDMOS.
“La DPD è fondamentale per aumentare l'efficienza degli amplificatori di potenza per le applicazioni delle stazioni base 4G e 5G e ha un impatto significativo sui costi operativi e sugli investimenti degli operatori di rete”, ha affermato il Dr. Chris Dick, Chief DSP Architect di Xilinx. “La nostra dimostrazione congiunta con MACOM all'IMS 2016 mostrerà le capacità DPD combinate dei transistor di potenza GaN Gen4 MAGB di MACOM e delle tecnologie DPD complementari di Xilinx nei nostri SoC Zynq® a 28 nm e UltraScale+™ MPSoC a 16 nm. Questa soluzione congiunta evidenzia i vantaggi in termini di time-to-market che si possono ottenere con una soluzione DPD collaudata e interoperabile.”.
“La nostra collaborazione con Xilinx dimostra la linearità e la facilità di correzione dei nostri MAGb, soprattutto con segnali notoriamente difficili da correggere utilizzando soluzioni basate su GaN, come i segnali multicarrier TDD-LTE e GSM”, ha commentato Preet Virk, Senior Vice President e General Manager di Carrier Networks presso MACOM. “Riteniamo che con l'introduzione dei nostri nuovi transistor di potenza MAGb in package plastici, stiamo ulteriormente ampliando questo vantaggio in termini di rapporto prezzo/prestazioni rispetto alle tecnologie LDMOS e ad altre tecnologie GaN concorrenti, accelerando l'evoluzione degli amplificatori di potenza basati su GaN per le stazioni base wireless.”
La serie di transistor di potenza MAGb GaN Gen 4 di MACOM consente agli operatori wireless di implementare le versioni LTE più recenti e di ridurre significativamente i costi operativi del sistema a prezzi altamente competitivi, grazie a una catena di fornitura scalabile combinata con la vasta esperienza applicativa e il team di supporto alla progettazione di MACOM.
Alcuni prodotti della serie di transistor di potenza GaN MAGb di MACOM vengono attualmente spediti come campioni a clienti qualificati.
