La nouvelle diode laser à rétroaction distribuée ML7xx42 intègre une couche active AlGaInAs offrant une puissance de sortie de 10 mW à faible courant, même à haute température. Grâce à une modulation de bande passante améliorée, elle fonctionne de manière fluide à 10 Gbit/s. Cette diode laser DFB est proposée en boîtier TO-CAN de 4,8 mm de diamètre et est équipée d'une lentille asphérique assurant un rendement de couplage élevé.
Le ML7xx42 présente une émission lumineuse maximale à une longueur d'onde de 1270 nm, tandis que sa puissance de sortie est de 10 mW pour un courant de fonctionnement inférieur à 70 mA. Il est conçu pour une plage de températures de fonctionnement allant de -5 °C à +75 °C.
Mitsubishi Electric utilise l'AllnAs pour la couche de multiplication de sa nouvelle photodiode à avalanche à faible bruit, offrant une sensibilité de pointe de 31,5 dBm. Logée dans un boîtier TO-CAN de 5,4 mm avec un capuchon d'objectif sphérique, la PD8xx24 fonctionne à une longueur d'onde de 1570 nm et présente une réponse typique de 0,8 A/W, ainsi qu'une bande passante typique de 6,5 GHz.
