Inventeur de la mémoire flash et pionnier de la mémoire flash 3D, Toshiba s'attache à repousser sans cesse les limites du possible et à faire progresser cette technologie. Sa technologie BiCS FLASH (cellule à triple niveau, TLC) de 3 bits par cellule améliore les performances, la densité et l'efficacité des SSD. Son procédé innovant d'empilement de 96 couches, associé à des technologies de fabrication et de circuits de pointe, permet d'obtenir une capacité par unité de surface de puce supérieure d'environ 40 % à celle de la mémoire flash 3D à 64 couches.

« L'introduction de la série XG6 ouvre la voie aux clients de Toshiba, aux centres de données et aux SSD d'entreprise pour migrer vers la technologie à 96 couches », déclare Paul Rowan, vice-président de l'unité commerciale SSD chez Toshiba Memory Europe, à propos des capacités révolutionnaires de Toshiba Memory dans les améliorations continues apportées à sa technologie BiCS FLASH.

Le texte poursuit : « Idéale pour les applications clients, les systèmes embarqués et les centres de données, la nouvelle gamme de SSD NVMe XG6 offre une grande polyvalence avec des capacités allant jusqu’à 1 To et un contrôleur optimisé pour des performances et une efficacité énergétique accrues. Toshiba Memory est à la pointe du développement de la mémoire flash 3D avec la technologie BiCS FLASH 96 couches. ».

La nouvelle série XG6 est disponible au format M.2 2280 simple face et prend en charge PCI Express® 3e génération x4 et NVM Express™ révision 1.3a. La série XG6 se distingue par son excellent rapport efficacité/performances : elle consomme 4,7 W ou moins et atteint des vitesses de lecture séquentielle jusqu’à 3 180 Mo/s et d’écriture séquentielle jusqu’à près de 3 000 Mo/s, ainsi que jusqu’à 355 000 IOPS en lecture aléatoire et 365 000 IOPS en écriture aléatoire. Grâce à l’optimisation du SoC, la série XG6 offre des performances d’écriture séquentielle de pointe.

Les fonctionnalités supplémentaires incluent :
• Sécurité : modèles de disques pyrite ou auto-cryptants compatibles avec TCG Opal Version 2.01, ainsi que prise en charge du SID de bloc et de la signature numérique.
• Compatibilité avec la fonction de surprovisionnement sélectionnée par l'utilisateur via la commande NVMe
• Performances séquentielles de première classe (classe client)
• Amélioration du tampon SLC pour optimiser les performances du disque pour les charges de travail client.

« L’industrie poursuit sa transition vers des technologies flash 3D à plus haute densité, avec une croissance annuelle composée de 75 % pour les pétaoctets de mémoire NAND 3D jusqu’en 2022 », a commenté Greg Wong, fondateur et analyste principal chez Forward Insights. « L’introduction de 96 couches représente une étape importante pour la mémoire flash, répondant à la demande croissante de stockage plus rapide et plus dense. ».

Parfaitement adaptée à une large gamme d'applications nécessitant une lecture intensive et privilégiant l'efficacité énergétique, les performances en rafale et une taille compacte, la série XG6 sera disponible en capacités de 256, 512 et 1 024 gigaoctets.

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