Il nuovo diodo laser a feedback distribuito ML7xx42 incorpora uno strato attivo in AlGaInAs con una potenza di uscita di 10 mW a bassa corrente, anche in condizioni di alta temperatura. Grazie alla modulazione di larghezza di banda migliorata, può operare senza problemi a 10 Gbps. Questo DFB-LD è disponibile in un package TO-CAN da 4,8 mm di diametro ed è dotato di una lente asferica che garantisce un'elevata efficienza di accoppiamento.
Il modello ML7xx42 presenta un picco di emissione luminosa a una lunghezza d'onda di 1270 nm, mentre la potenza di uscita è di 10 mW con correnti di funzionamento inferiori a 70 mA. È progettato per un intervallo di temperatura di funzionamento compreso tra -5 °C e +75 °C.
Mitsubishi Electric utilizza AllnAs per lo strato di moltiplicazione del suo nuovo fotodiodo a valanga a basso rumore, che offre una sensibilità leader del settore di 31,5 dBm. Alloggiato in un package TO-CAN da 5,4 mm con un cappuccio a sfera per la lente, il PD8xx24 opera a una lunghezza d'onda di 1570 nm e ha una responsività tipica dell'APD di 0,8 A/W, insieme a una larghezza di banda tipica di 6,5 GHz.
