Microsemi Corporation anuncia una guía de diseño para el desarrollo de sistemas de alta tensión y alta potencia de próxima generación basados en su exclusiva familia de módulos híbridos de radiofrecuencia digital (DRF). Estos sistemas se utilizan en aplicaciones como proceso de semiconductores, revestimiento del cristal en LCD, fabricación de células solares, revestimiento de dispositivos ópticos y de cristal en arquitectura, tratamiento de gases peligrosos, excitación de láser CO2, amplificadores de RF para imágenes obtenidas mediante resonancia magnética, bisturís de RF y sistemas de calentamiento por inducción.
Los módulos combinan CI controladores de RF y MOSFET de potencia en un solo encapsulado de altas prestaciones capaz de suministrar entre 1 y 3 kW de potencia a frecuencias de hasta 40 MHz. Esta guía de diseño también ofrece a los desarrolladores de sistemas las técnicas de diseño de RF relacionadas con la selección de componentes, diseño de la red de adaptación, optimización de la potencia de salida, maximización de la eficiencia, refrigeración y encapsulado, así como recomendaciones detalladas acerca de las topologías de circuito necesarias para construir un generador completo de RF.

“Nuestra gama de productos DRF ofrece ventajas sustanciales si se compara con los sistemas convencionales de RF de baja tensión”, comenta Glenn Wright, director de marketing para productos MOSRF en Microsemi. “Entre sus ventajas se encuentran la capacidad de resolver retos de diseño para reducir el tamaño, aumentar la densidad de potencia, mejorar la fiabilidad y disminuir el coste total del sistema en una amplia variedad de aplicaciones industriales, científicas y médicas”.

La familia de productos DRF de Microsemi combina hasta dos CI controladores de RF, dos MOSFET de potencia para RF y los condensadores de desacoplamiento asociados en un solo encapsulado. La cercana proximidad entre el CI controlador y el MOSFET reduce enormemente la inductancia del circuito y mejora las prestaciones si se compara con otras soluciones que emplean componentes discretos, y permite una gran variedad de configuraciones del circuito y de topologías del sistema. Los módulos, diseñados para suministrar potencia en aplicaciones de forma continua, de Clase D y E, y pulsos de potencia, son capaces de suministrar una potencia de RF de hasta 3kW y sólo necesitan señales de entrada con 5 V de nivel lógico. También utilizan la exclusiva capacidad de encapsulado sin reborde de Microsemi para reducir el coste y mejorar las prestaciones si se compara con otras soluciones existentes con anterioridad.

La guía de diseño para DRF de Microsemi, así como las otras herramientas de desarrollo y oferta de soporte ya se encuentran disponibles, incluyendo los modelos SPICE, los kits de diseño de referencia y las notas de aplicación.

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