Die H4 UTX-Steckverbinder bieten dank präzisionsgefertigter Kontakte mit der exklusiven RADSOK®-Technologie von Amphenol Industrial eine hocheffiziente Energieübertragung mit minimalen Verlusten. Die
bei Mouser Electronics erhältlichen Amphenol H4 UTV-Steckverbinder verfügen nun über eine Ratschen-Pressmutter, die nach dem Festziehen ein Spiel verhindert. Weitere Verbesserungen umfassen umweltfreundliche Gehäuse und Halteklammern für die Drähte. Die Kontakte sind für Drahtquerschnitte von 14 AWG bis 8 AWG (2,5 mm² bis 10 mm²) geeignet und bieten höhere Strombelastbarkeiten und einen geringeren Kontaktwiderstand als herkömmliche Solarsteckverbinder. Der typische Kontaktwiderstand beträgt nur 0,25 mΩ, was zu extrem niedrigen Leistungsverlusten führt. Die Steckverbinder lassen sich dank eines Verriegelungssystems mit hörbarem Klick schnell und einfach verbinden, um eine fehlerfreie Installation zu gewährleisten. Die RADSOK-Technologie von Amphenol Industrial sorgt für eine hochpräzise und niederohmige Verbindung durch ein Netzwerk von etwa zwei Dutzend kleinen Kontakten, die sich von der Vorder- zur Rückseite des weiblichen Kontakts erstrecken. Beim Einstecken des Steckers reinigt die Membran diesen und sorgt gleichzeitig für mehrere sichere Verbindungen. Dadurch wird ein hoher Stromfluss bei minimalem Spannungsabfall gewährleistet.
Diese H4-UTX-Steckverbinder bieten äußerst zuverlässige Verbindungen und sind hochbeständig gegenüber den rauen Umgebungsbedingungen in Solaranlagen. Sie sind resistent gegen extreme Hitze, Kälte, Wasser, Ozon, Salz, Abrieb, UV-Strahlung und Sonnenlicht.
Der H4 UTX erfüllt die drei höchsten Zertifizierungsstandards auf dem Markt und ist somit ein weltweit einsetzbarer Solarstecker. Die Zertifizierungen umfassen EN50521 TÜV 1500 V – Klasse A (weltweit), UL6703 1000 V (Amerika) und 1500 V JET (Japan). Der H4 UTX ist vollständig kompatibel mit allen bestehenden H4-FV-Steckverbindern.
Han® Q 4/0 und Han® Q 3/0 Stromsteckverbinder in der Halbleiterindustrie
In der Halbleiterindustrie werden Mikrochips aus sogenannten Wafern hergestellt, die aus einem hochreinen kristallinen Material wie Silizium bestehen. Die Wafer werden zunächst poliert und gereinigt, bevor sie verschiedenen Oberflächenbehandlungen unterzogen werden, darunter Oxidation und CVD (chemische Gasphasenabscheidung).
