Als Erfinder des Flash-Speichers und Pionier des 3D-Flash-Speichers konzentriert sich Toshiba darauf, die Grenzen des Machbaren kontinuierlich zu erweitern und die Technologie weiterzuentwickeln. Die 3-Bit-pro-Zelle-BiCS-FLASH-Technologie (Triple-Level Cell, TLC) verbessert Leistung, Speicherdichte und Effizienz von SSDs. Das innovative 96-Layer-Stapelverfahren, kombiniert mit fortschrittlicher Fertigungs- und Schaltungstechnik, erzielt eine um ca. 40 Prozent höhere Kapazität pro Chipgröße im Vergleich zu 64-Layer-3D-Flash-Speichern.

„Mit der Einführung der XG6-Serie wird der Weg für Toshiba-Kunden, Rechenzentren und Enterprise-SSDs geebnet, um auf die 96-Layer-Technologie umzusteigen“, sagt Paul Rowan, Vizepräsident der SSD Business Unit bei Toshiba Memory Europe, mit Blick auf die revolutionären Fähigkeiten von Toshiba Memory bei den kontinuierlichen Verbesserungen seiner BiCS FLASH-Technologie.

Weiter heißt es: „Die neuen NVMe-SSDs der XG6-Serie sind vielseitige Laufwerke mit Kapazitätsoptionen bis zu 1 TB und einem optimierten Controller-Design für höhere Leistung und Energieeffizienz – ideal für Client-Anwendungen, eingebettete Systeme und Rechenzentren. Toshiba Memory ist mit 96-Layer BiCS FLASH führend in der Entwicklung von 3D-Flash-Speichern.“

Die neue XG6-Serie ist im einseitigen M.2-2280-Formfaktor erhältlich und unterstützt PCI Express® Generation 3x4-Kanal sowie NVM Express™ Revision 1.3a. Ein Markenzeichen der XG6-Serie ist die leistungsstarke Kombination aus Effizienz und Performance: Sie verbraucht maximal 4,7 W und erreicht sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 3.180 MB/s und sequentielle Schreibgeschwindigkeiten von nahezu 3.000 MB/s sowie bis zu 355.000 IOPS beim zufälligen Lesen und 365.000 IOPS beim zufälligen Schreiben. Dank SoC-Optimierung bietet die XG6-Serie branchenführende sequentielle Schreibleistung.

Zu den weiteren Funktionen gehören:
• Sicherheit: Pyrit- oder selbstverschlüsselnde Laufwerksmodelle, die mit TCG Opal Version 2.01 kompatibel sind, sowie Block-SID- und digitale Signaturunterstützung.
• Kompatibilität mit der vom Benutzer ausgewählten Over-Provisioning-Funktion über den NVMe-Befehl
• Erstklassige sequentielle Leistung (Kundenklasse)
• Verbesserter SLC-Puffer zur Steigerung der Festplattenleistung bei Client-Workloads.

„Die Branche setzt ihren Übergang zu höheren Speicherdichten der 3D-Flash-Technologie fort, wobei das Volumen an 3D-NAND-Speichern im Petabyte-Bereich bis 2022 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 75 Prozent zunimmt“, kommentierte Greg Wong, Gründer und leitender Analyst bei Forward Insights. „Die Einführung von 96 Schichten ist ein bedeutender Meilenstein für Flash-Speicher, um der wachsenden Nachfrage nach schnellerem und dichteren Speicher gerecht zu werden.“

Die XG6-Serie eignet sich hervorragend für eine breite Palette leseintensiver Anwendungen, bei denen Energieeffizienz, Burst-Performance und eine kompakte Größe im Vordergrund stehen, und wird mit Kapazitäten von 256, 512 und 1.024 Gigabyte erhältlich sein.

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