M / A-COM Technology Solutions Inc. ("MACOM") (NASDAQ: MTSI), un proveedor líder de productos RF analógiocs de alto rendimiento, microondas, de onda milimétrica y semiconductores fotónicos, anunció hoy su serie MAGb de transistores de potencia GaN altamente anticipadas para su uso en macro estaciones base inalámbricas.

Aprovechando la tecnología Gen4 GaN de MACOM, la nueva serie MAGb es la primera familia de transistores GaN optimizada para estación base comercial de la industria, que logra la eficiencia de liderazgo, ancho de banda y ganancia de potencia con una linealidad y estructura de coste como LDMOS, y un camino hacia un mejor coste LDMOS a niveles de producción en volumen escada.

La serie MAGb de transistores de potencia tienen como objetivo todas las bandas celulares dentro de la gama de frecuencias de 1,8 GHz a 3,8 GHz. Las entradas iniciales de la serie de productos incluyen transistores que proporcionan hasta 400 W de pico de potencia en pequeños encapsulados, transistores duales y configuración Doherty de encapsulado que proporcionan hasta 700 W de pico de potencia tanto en opciones de alimentación simétricas y asimétricas. Esta serie de productos ofrece mejora de la eficiencia de potencia de hasta un 10% y una reducción del tamaño del encapsulado mayor al 15% con respecto a las ofertas de LDMOS anteriores. Basado en la tecnología lineal Gen 4, el MAGb es fácil de linealizar y corregir con esquemas de pre-distorsión digital (DPD) en comparación con otras tecnologías de GaN.

Los transistores de potencia en la familia MAGb cubren mayor ancho de banda que LDMOS, reduciendo el número de piezas necesarias para cubrir las principales bandas celulares. La nueva familia de productos ofrece estas ventajas al tiempo que simplifica la implementación Doherty sobre transistores basados ​​en LDMOS y manteniendo más de 200 MHz de ancho de banda de vídeo. El MAGB-101822-120B0S es el primer producto de esta familia y cubre 500 MHz de ancho de banda RF entre 1,7 GHz y 2,2 GHz. Está alojado en un pequeño encapsulado de cerámica AC-400 y ofrece más de 160 W de pico de potencia y un pico de eficiencia del 74% con sólo  sintonización fundamental y ganancia lineal de más de 19 dB en toda la banda de 500 MHz.

Segundo de esta serie es el MAGB-101822-240B0S, que tiene el doble de potencia de salida que el MAGB-101822-120B0S con un pico de potencia de más de 320 W, 19 dB de ganancia lineal y con la pico de eficiencia mayor al 72% con sintonización fundamental solamente a través de 500 MHz de ancho de banda RF, alojado en un encapsulado de cerámica AC-780. El pico de eficiencia de las dos partes se puede mejorar adicionalmente, muy por encima de 80% cuando los dispositivos presentan las terminaciones de armónicos apropiadas.

Esta nueva serie da rienda suelta a las ventajas de eficiencia, de tamaño y de banda ancha de la 4ª Gen de GaN de MACOM. Permite a los proveedores de servicios inalámbricos desplegar las últimas versiones LTE y reducir significativamente los gastos operativos a precios muy competitivos, con una cadena de suministro escalable combinada con las mejores aplicaciones de clase de MACOM y un equipo de apoyo de diseño con décadas de experiencia.

"Creemos que la 4ª Gen de GaN posiciona a MACOM a la vanguardia de una evolución transformadora en amplificadores de potencia de la estación base, lo que permite un avance de precio / rendimiento que no se pueden lograr con las tecnologías de semiconductores alternativas", comenta Preet Virk, Vicepresidente senior y Director de redes Carrier en MACOM. "Anticipamos que la experiencia inalámbrica de aplicaciones y la escalabilidad de fabricación comercial que MACOM trae a este sector, a través de la plataforma de productos MAGB llevará las PAs de GaN a la tendencia principal, liberando una serie de beneficios para la próxima generación de estaciones base inalámbricas."

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