Die GaN-Technologie ermöglicht HF-Leistungsdichten, die fünf- bis sechsmal höher sind als bei HF-Verstärkern auf Galliumarsenidbasis. Ihre bewährte Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit machen sie zur idealen Wahl für Infrastruktur-, Verteidigungs- und Luftfahrtanwendungen wie Radar, elektronische Kampfführung, Kommunikation, Navigation und ähnliche Bereiche. Diese gesteigerte Leistungsfähigkeit gibt Entwicklern die Flexibilität, die Leiterplattengröße und die Systemkosten zu reduzieren und gleichzeitig die Performance zu verbessern.
Die QPD-GaN-HF-Transistoren von Mouser Electronics umfassen den kürzlich erschienenen QPD1003, den ersten intern angepassten 50-Ohm-Leistungsverstärker für das L-Band. Der neue QPD1003 erfüllt die Leistungsanforderungen von Hochleistungs-Phased-Array-Antennen, wie z. B. AESA-Radargeräten (Active Electronically Scanned Array), die im Frequenzbereich von 1,2 bis 1,4 GHz arbeiten. Diese Systeme benötigen Leistungsverstärker mit maximaler Effizienz, die auch unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen eine geringe Wärmeentwicklung gewährleisten.
