- Viernes, 16 Octubre 2009
Mitsubishi Electric Corporation presenta un nuevo HEMT (High Electron Mobility Transistor) de arseniuro de galio en encapsulado de plástico adecuado para amplificadores de bajo ruido en la banda de frecuencia Ka. Este dispositivo, denominado MGF4963BL, opera a frecuencias de hasta 20 GHz con un excelente rendimiento de bajo ruido.
El MGF4963BL opera con VDS de 2,0 V e ID de 10 mA.
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