Mouser Electronics, Inc., tiene disponibles los transistores QPD de nitruro de galio (GaN) para radiofrecuencia (RF) de Qorvo. Fabricados con la tecnología GaN en SiC (Silicon carbide), estos transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs), con un transistor de amplificador de potencia de una sola etapa, ofrecen una amplia gama de rangos de frecuencias, potencia de salida y voltajes de funcionamiento para alta eficiencia.

La tecnología GaN admite densidades de potencia RF entre cinco y seis veces mayores que los amplificadores de RF basados ​​en arseniuro de galio. El rendimiento probado y la fiabilidad de la tecnología GaN lo convierten en una opción ideal para aplicaciones de infraestructura, defensa y aeroespaciales como radar, guerra electrónica, comunicaciones, navegación y aplicaciones similares. Este aumento en la capacidad de rendimiento ofrece a los diseñadores la flexibilidad para reducir el espacio en la placa y los costes del sistema, mientras se mejora el rendimiento.

Los transistores RF QPD GaN disponibles en Mouser Electronics incluyen el recientemente publicado QPD1003, el primer amplificador de potencia L-Band de 500 vatios internamente emparejado a 50 ohmios. El nuevo QPD1003 satisface las necesidades de rendimiento de las matrices en fase de alta potencia, como los radares Active Electronic Scanned Array (AESA), que operan en el rango de frecuencia de 1.2 a 1.4 GHz. Estos sistemas requieren amplificadores de potencia que funcionan con la máxima eficiencia, lo que resulta en una baja generación de calor en condiciones ambientales exigentes.

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