La nueva gama HK3R estará disponible con capacidades de 120 GB[1] (THNSNJ120PCS3), 240 GB (THNSNJ240PCS3) y 480 GB (THNSNJ480PCS3) para su uso en aplicaciones de lectura intensiva, tales como unidades de arranque rápido, y para la caché y el registro de errores.
Las unidades están equipadas con una interfaz SATA 3.0 de 6 Gbit/s y tienen un factor de forma de 2,5 pulgadas (6,4 cm). Al utilizar la NAND MLC de 19 nm, las unidades de la serie HK3R alcanzan velocidades de lectura secuencial de 500 MiB/s y velocidades de lectura aleatoria de 75 000 IOPS.
Las unidades de 240 GB y 480 GB alcanzan velocidades de escritura secuencial de 400 MiB/s y velocidades de escritura aleatoria de hasta 12 000 IOPS, mientras que la unidad de 120 GB alcanza velocidades de escritura secuencial de 280 MiB/s y velocidades de escritura aleatoria de 10 000 IOPS. Las unidades están diseñadas para dar cabida a una escritura de unidad completa al día con un rendimiento de datos aleatorios del 100 % durante 5 años.
Todas las ESSD HK3R cuentan con protección completa contra pérdida de alimentación y protección de datos de extremo a extremo. Las unidades también incorporan la robusta y eficiente tecnología Quadruple Swing-By Code (QSBC™) de Toshiba, para lograr mejor corrección de errores y mayor fiabilidad.
- Detalles
- Categoría: Centros de Datos
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By Carlos Martinez
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