- Jueves, 17 Diciembre 2009
AWR y WIN Semiconductors Corporation anuncian el lanzamiento del kit de diseño de proceso de WIN/AWR H2W PH50-00 (PDK). El PDK para el transistor WIN PH50-00 GaAs pseudomórfico de alta movilidad de electrones (pHEMT) de modo realce/agotamiento y del transistor de heterounión bipolar (HBT) de proceso foundry es el último de la serie de PDK de AWR disponible para los diseñadores de circuitos integrado de microondas monolíticos (MMIC).
“El último WIN/AWR PDK provee a los clientes de los modelos más exactos disponibles para el pHEMT y las tecnologías de proceso de HBT”, comenta Gary St. Onge, vicepresidente mayor de ventas internacionales en WIN Semiconductors.
“Facilitando a nuestros clientes del flujo de diseño con procesos avanzados de semiconductores compuestos así como con flujos y herramientas avanzadas EDA, llenamos el vacío entre el diseño conceptual y el producto funcionando”.”El proceso PH50-00 de WIN Semiconductors continúa recibiendo alabanzas de los diseñadores MMIC en todo el mundo”, comentó Sherry Hess, vicepresidenta de Marketing en AWR. “ Su versatilidad es incomparable en sus altos niveles de integración y funcionamiento. Estos logros hacen al proceso excepcionalmente bien adaptado para los MMIC más complejos y funcionales, más densos. El AWR/WIN PH50-00 PDK permite que los diseñadores dispongan de la capacidad máxima del proceso PH50-00”.
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