La ganancia típica de potencia lineal (GLP) es de 10 dB para ambos dispositivos.
Los dos nuevos dispositivos tienen una eficiencia de potencia adicional
(PAE) del 43% y una operación de alto voltaje (VDS = 40V. Debido a la buena linealidad del proceso GaN el dispositivo de 100W puede alcanzar un tercer orden Inter Modulation (IM3) de - 25dBc a 46 dBm en potencia de salida.
Los amplificadores GaN se han hecho muy populares debido a su alta degradación de tensión y la densidad de potencia, así como la alta velocidad de saturación de los electrones. Además, su capacidad de contribuir a ahorrar energía y a la reducción de tamaño de los equipos de transmisión de potencia los hacen muy atractivos y minimizan la importancia de los amplificadores de GaAs que han sido comúnmente empleados en los transmisores de banda C en el pasado.
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- Categoría: Componentes para RF
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