Nokia Siemens Networks se ha unido al proyecto GALACTICO de la Comisión Europea para desarrollar circuitos fotónicos compactos y rentables basados en silicio para Gigabit Ethernet (GbE). El programa de investigación de tres años tiene como objetivo mezclar únicamente tres de las materiales de integración más establecidos - INP (fosfuro de indio), GaAs (arseniuro de galio), y Si (Silicio) - en una plataforma común basada en el silicio para hacer frente al alto rendimiento, volumen de producción y requisitos de bajo costo de la próxima generación de transpondedores ópticos para GbE y Terabit. El consorcio GALACTICO incluye nueve socios * que abarcan centros de investigación universitarios y empresas líderes de varios países europeos.

"En la actualidad los vendedores de sistemas requieren su propia tecnología de integración fotónica para entregar una solución práctica y económicamente viable de 100 GbE sistema", dijo Lars Zimmermann, coordinador del proyecto GALACTICO. "Nuestro proyecto tiene como objetivo desarrollar interfaces de 100 GbE de bajo coste y pequeño tamaño, y proporcionar transmisores y receptores integrados que proporcionan una gran cantidad de ancho de banda total."

"Hemos estado a la vanguardia de la transición entre el 10 y 40 gigabits por segundo (Gbps) a las redes 100G y más allá", dijo Uwe Fischer, jefe de gestión de redes ópticas de productos de Nokia Siemens Networks. "No es de extrañar que cuando el proyecto GALACTICO se inició, que se adelantó a prestar nuestra experiencia. Con nuestra experiencia en el ámbito del transporte óptico, podemos proporcionar las especificaciones de los componentes a desarrollar, así como participar en las demostraciones de laboratorio y pruebas de campo posteriores. "