Niederspannungs- und breitbandige elektrooptische Modulatoren sind für die analoge und digitale Kommunikation unerlässlich. Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulatoren haben in letzter Zeit die Leistung durch die Reduzierung der benötigten Modulationsspannung bei gleichzeitig hoher Bandbreite deutlich verbessert. Die Minimierung der Elektrodenabstände in diesen Modulatoren führt jedoch zu signifikant höheren Mikrowellenverlusten, was die elektrooptische Leistung bei hohen Frequenzen einschränkt. In dieser Arbeit wird diese Einschränkung überwunden und eine rekordverdächtige Kombination aus einer niedrigen Halbwellen-HF-Spannung von 1,3 V und einer elektrooptischen Ansprechcharakteristik mit einem Abfall von 1,8 dB bei 50 GHz erzielt. Diese Demonstration stellt eine signifikante Verbesserung der Spannungsbandbreite dar, vergleichbar mit der durch den Übergang von herkömmlichen Lithiumniobat-Modulatoren zu Dünnschichtmodulatoren erzielten. Durch die Nutzung einer verlustarmen Elektrodengeometrie zeigen wir, dass Subspannungsmodulatoren mit einer Bandbreite von 100 GHz realisierbar sind.
